中芯国际将首次在马来西亚公开展示2nm GAA（Gate-All-Around）晶体管原型晶圆，外媒称这是中国产业链首次公开2nm细节。
现场资料显示，该原型采用国产衬底与多层纳米片堆叠，沟道宽度仅6nm，对比3nm FinFET，等效性能提升18%、功耗下降34%。
在会前夜，ASML紧急回应市场传闻，确认“已获荷兰政府许可，可向特定中国客户出口0.55NA EUV光刻机用于2nm研发，但未透露数量与交付时间。
中芯国际将首次在马来西亚公开展示2nm GAA（Gate-All-Around）晶体管原型晶圆，外媒称这是中国产业链首次公开2nm细节。
现场资料显示，该原型采用国产衬底与多层纳米片堆叠，沟道宽度仅6nm，对比3nm FinFET，等效性能提升18%、功耗下降34%。
在会前夜，ASML紧急回应市场传闻，确认“已获荷兰政府许可，可向特定中国客户出口0.55NA EUV光刻机用于2nm研发，但未透露数量与交付时间。
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